APS的技术优势

碳化硅特性

技术的进步推动了硅半导体达到其理论材料极限。 目前,基于硅的功率器件无法满足功率电子在各种工业/商业应用中对功率器件的不断增长的需求。 这些包括更高的阻断电压,开关频率,效率和可靠性。 碳化硅(SiC),也称为宽禁带材料,是替代硅的理想选择 





使用碳化硅(SiC)技术制造的功率器件可以受益于其优越的性能。 这些特性使碳化硅器件可以在高于200oC的温度下运行,与基于硅的器件相比,功率密度是2倍,功率损耗为50%。 使用碳化硅器件的电子系统需要较小的系统尺寸,较低的系统成本和在高温环境下有更高的可靠性。





碳化硅(SiC)在禁带宽度,击穿电场和导热性方面提供了优于砷化硅和砷化镓的各种优势。