碳化硅MOSFET

碳化硅 MOSFET

APS自主研发的碳化硅MOSFET 具备高开关频率,低导通电阻,优良高温特性,与耐高压等优势,有着替代现有IGBT和超结MOSFET的巨大潜力。其应用在更高频率的电源设计里,能够缩小系统储能器件的体积,例如大电感,大变压器及大容量电容等,从而降低系统成本。


APS推出的第二代平面结构MOSFET促进了光伏风电,新能源汽车车,不间断电源,服务器电源等应用往高效与高可靠性发展的趋势。已有的封装类型包括:TO247-3、TO247-4等。


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