飞锃半导体斩获极光奖“中国SiC器件设计十强企业”和“年度优秀产品”!

2023-12-15 15:16:00

2023年12月13-14日,行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典在深圳成功举办。作为中国领先的第三代半导体供应商,飞锃半导体受邀参与演讲,市场副总监袁建向与会者分享了《国产碳化硅器件在新能源市场的应用与展望》。此外,飞锃半导体还荣获了极光奖的两大奖项:“中国SiC器件设计十强企业”和“年度优秀产品”。


飞锃半导体斩获极光奖“中国SiC器件设计十强企业”和“年度优秀产品”!

图中左六:飞锃半导体产品市场副总监 袁建


不忘初心深耕市场,加快推动国产化碳化硅进程 


在12月14日举办的“行家极光奖”奖颁奖典礼上,飞锃半导体凭借优异的研发创新实力荣获“中国SiC器件设计十强企业”和“年度优秀产品”两大奖项,备受业界广泛认可。


飞锃半导体斩获极光奖“中国SiC器件设计十强企业”和“年度优秀产品”!

图中左四:飞锃半导体产品市场副总监 袁建


飞锃半导体作为中国领先的第三代碳化硅功率半导体器件供应商,已成功推出多款新一代SiC MOSFET和车规级SiC MOSFET。此次车规级碳化硅MOSFET获得“年度优秀产品”奖也是对飞锃半导体产品的认可。这些产品涵盖市场主流规格,如1200V 35/70/160mohm和650V 30/45/60mohm,以满足不同电压应用的需求。这些产品具备高可靠性和高鲁棒性,以及优异的开关性能和导通特性。此外,它们还具备出色的体二极管反向恢复特性,能够显著降低车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。飞锃半导体车规级碳化硅产品符合车规AEC-Q101可靠性验证,并通过960V高压H3TRB加严测试。


飞锃半导体将继续不断创新研发,致力于用领先的MOSFET技术、优异的品质和坚固耐用的封装,与产业链上下游的深度协同合作下,逐步实现国产碳化硅器件在各个应用领域的替代。


国产碳化硅器件在新能源市场的应用与展望 


袁建先生在演讲中首先介绍了碳化硅器件在新能源市场的规模,光伏产业作为新能源领域的重要分支,我国光伏产业规模不断扩大,核心技术越来越成熟,庞大的市场需求也带动了碳化硅器件的发展。随着太阳能系统的规模不断扩大,对逆变器功率密度要求越来越高,特别是组串式逆变器,碳化硅器件成为了一个很好的解决方案。碳化硅器件具有优异的能耗特性和高温稳定性,能够在高温环境下工作,从而显著减小能量损耗,优化散热,降低成本。


飞锃半导体斩获极光奖“中国SiC器件设计十强企业”和“年度优秀产品”!


为满足市场需求,飞锃半导体推出了碳化硅二极管和碳化硅MOSFET,应用于光伏储能领域,并已批量供应给光伏行业的头部企业。这些产品具有低导通和开关损耗,能够提高能量转换效率,降低系统成本,为绿色能源发展提供助力。


其次介绍了随着全球“双碳”政策的加速推进,新能源汽车行业快速发展,车规级器件、直流充电桩等对碳化硅的需求火爆增长。尤其是随着新能源汽车从400V向800V电压架构的转变,大功率快充已成为业内共识,这将进一步扩大碳化硅器件在新能源汽车领域的应用规模。


在新能源汽车中,碳化硅器件主要应用于主逆变器、车载充电器(OBC)和DC/DC变换器。其中,车载充电器(OBC)以6.6KW为主,预计到2025年仍将保持57.2%的占比。飞锃半导体碳化硅MOSFET已批量供应给车载电源的头部企业。11KW的车载充电器(OBC)市场占比将逐年提升,预计到2025年,市场占比将到18%。飞锃半导体1200V 碳化硅MOSFET也已在客户端验证。


碳化硅器件具有更优的开关性能,更低的损耗以及允许更高的运行结温,进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。这些优势使SiC特别适合在高电压、高温和高频率场景工作,还能以较少的电能消耗获得更强的运行能力。 


飞锃半导体针对新能源汽车OBC和电驱逆变器推出了系列方案,助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。