在APS,我们致力于为客户提供符合国际质量和可靠性的产品。今天,APS和大多数半导体跨国公司一样,仍然参照以下标准来进行功率器件的鉴定。


JESD47《集成电路的压力测试驱动资格》

AEC Q101《汽车应用中分立半导体的基于失效机制的压力测试资格》


此外,APS还将参考其他新兴的和合适的标准和方法,以保持我们与市场竞争者的同步。


JEP148基于故障风险和机会评估的物理学的半导体器件可靠性鉴定 

JESD94使用基于知识的测试的特定应用鉴定 

JC-70委员会是为WBG(GaN和SiC)测试标准化任务组而成立的。


可靠性测试标准介绍


检测报告


APS利用符合国际标准的竞争优势来支持我们的可靠性验证计划。


  • 验证规范:完全按照国际行业标准,如JESD47及AEC-Q101制定验证计划;标准媲美国际大品牌 

  • 验证能力:借助香港科学园和本地大学为主导的国际级可靠性和失效分析实验室,配合产品验证和分析需求 

  • 失效分析: 严谨的失效分析报告及闭路反馈确保每个失效状态有效处理;相关导入DFMEA

  • 数据导向:强调验证数据之统计分析,测试前后数据及Cpk 之变化,成因与改善行动之跟进行动;并不会满足於0/1准则  

  • 延伸寿命测试: 除了满足国际标准, 亦会追求延伸寿命测试以发现产品潜在的凡风险, 让产品变得更可靠耐用


由于SiC比Si具有更优越的内在材料特性,因此可以证明以下性能。

  • 更长的寿命(由于可以承受更高的电场)。

  • 更高的温度耐久性

  • 可靠性


结合适当的封装和材料技术,SiC器件可以在一些可靠性测试中表现出其优越的可靠性能,如:


Reliability TestsSiC devicesSi devices

HTRB/HTGB

@ Tjmax 175°C or up to 200°C

@Tjmax 125°C or 150°C

TCT

@ -55°C to +175°C

@ -55°C to +150°C

Ruggedness(UIS)

Typ. 200-400mJ

Typ. <100mJ

IOL

ΔTj ≥ 125°C

ΔTj ≥ 100°C