选型指南

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碳化硅(SiC)功率器件

与硅相比,碳化硅(SiC)器件具有较低的导通电阻和优越的高温,高频和高压性能,因此已成为下一代低损耗半导体最可行的候选器件。 SiC还允许设计人员使用更少的组件,从而进一步降低设计复杂度。

APS在SiC功率器件和模块的开发中处于最前沿,这些器件和模块可在许多行业的应用中提供更高的节能效果。


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